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高精密電子儀器和通信系統(tǒng)的應(yīng)用下，我們需要考慮不同封裝(貼片/直插)的石英晶振的電性能參數(shù)變化對系統(tǒng)的影響，包括C0/C1, CL,RR。
C0/C1對晶體穩(wěn)定性的影響
晶體的靜態(tài)電容C0和動態(tài)電容C1大小，與晶片電極面積大小(體積大小)成正比，不同廠家設(shè)計C0也有差異。
同一頻率C0/C1的不同會影響振蕩電路的穩(wěn)定性：
C0/C1大，頻率上升到標(biāo)稱頻率前電抗變大，起振快，頻率難調(diào)整，但不易受外面雜散電容影響，適合高穩(wěn)需求;
C0/C1小，頻率變量大，易受雜散電容影響，頻率溫度穩(wěn)定性變差，但易于CL調(diào)整頻率。
KOAN晶振建議您：
先求穩(wěn)后求精準(zhǔn)度，要合理控制C0/C1范圍，比如49S-25M合理范圍280-310.
CL對相噪和起振的影響
負(fù)載電容CL是電路中跨接晶體兩端的總的有效電容，主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻，與晶體一起決定振蕩器電路的工作頻率，通過調(diào)整負(fù)載電容，就可以將振蕩器的工作頻率微調(diào)到標(biāo)稱值。
CL大，遠(yuǎn)端相噪好;CL過大，難調(diào)整到標(biāo)稱頻率，還容易導(dǎo)致回路阻抗增大，難起振;CL小，容易調(diào)整頻率，近端相噪好，易起振。
晶誠科技建議您：
隨著晶體小型化發(fā)展，諧振器C0變小，我們應(yīng)相應(yīng)降低CL。否則會減弱晶體C0電流分流比例。
RR對振幅和激勵功率的影響01
同頻率晶體的體積越小RR越大，RL晶體加負(fù)載電容的諧振阻抗， RL=RR(1+C0/CL)² 。根據(jù)其大小，評估振蕩電路設(shè)計振蕩寬限，滿足振蕩電路的振幅條件和激勵功率等級。
02P=I²*RL，可根據(jù)電流I的大小評估激勵功率等級和匹配相應(yīng)的限流電阻
I：晶體諧振時流經(jīng)晶振的電流，與RR成反比
RL：等效電阻
P：實際跨在晶體上的功率。